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    首页 - 存储 - 国内三大存储厂芯片明年进入量产
点击:190        时间:2018-08-01 15:35:39

  从2016年第三季度以来,全球内存条价格大涨,对于不少喜欢攒机的DIY用户来说,内存价格近两年的居高令不少玩家望而却步。而迫于压力,手机制造商、电脑制造商也相应的上调了产品价格几百元不等,消费者购买手机/电脑的成本更多了,纵使再多不满消费者也只能乖乖买单,毕竟我国的智能手机/PC /服务器厂商使用的 DRAM 内存、NAND 闪存几乎都来自进口。数据显示,2017 年中国存储芯片进口价值896亿美元,而这个市场基本被三星、海力士、美光等三巨头瓜分。也就是说,单半导体市场,国外厂家就在中国赚的盆满钵满。

  不过中国反垄断机构早已着手调查三星、美光、海力士是否存在操纵价格,如果裁定三大巨头存在价格垄断行为,那么可能罚金将在8亿美元-80亿美元之间,相信这也能起到一定的威慑作用。而现在又传出消息,中国的DDR4内存、3D 闪存芯片等即将量产,如果属实,那意味着国产内存、闪存从明年开始将会有实质性的成果。

  据中国台湾电子时报网站引述业内人士称,2019年,中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产,它们分别是长江存储、福建晋华集成电路公司(以下简称晋华公司),以及安徽合肥Innotro存储公司。

  紫光旗下的 YMTC 长江存储此前对外披露已经获得了第一个闪存芯片订单,用于生产8GB容量的SD存储卡,订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。此外,长江存储正继续研发64层3D NAND闪存,计划在2018年年底前推出样品。

  消息人士称,到2020年,长江存储的闪存芯片产能将提高到月处理10万片晶圆。未来随着三条生产线全部启用,该公司的闪存月产能将提高到35万片到40万片晶圆。

  跟长江存储不同的是,晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造。据说前者已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产,而后者预计明年量产19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片。  

  晋华公司此前表示,希望在今年底之前,将晋华和台湾联华电子共同开发的第一代DRAM内存生产工艺投入使用。

  不过,晋华的合作方联电目前跟美光公司正在打专利战,虽然福州法院已经发布针对美光的禁售令,要求将涉嫌晋华公司专利的26种产品在中国市场停止销售,晋华和联电也算取得初步胜利,但是最终是否会影响到晋华的投产计划还是未知数。

  最近有报道称,合肥Innotron公司已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产,不过该公司官方尚未对外发布消息。此前Innotron公司对外展示了使用19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片工程样片,该产品预计于 2018 年底上市,计划于 2019 年上半年正式量产。

  如果以上消息属实,那的确是件好事!让大家看见了国产内存在研发制造方面的突破。这也势必能打破巨头间的垄断,全球内存闪存芯片市场的价格有望出现下降。不过我们还是需要认清现实,就比如目前长江存储的32层3D闪存的产能产能问题,晋华/联电与美光公司的专利战影响,以及合肥Innotron公司也没有证实是否开始正式生产等一系列问题。但从另一个角度看,留给国产存储厂商的进步空间还很大。(来源:凤凰网)

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